由于聚（芳基醚砜）的高分子量，门当该膜表现出良好的物理性能。

在MAPbI3(PTAI-MAPbI3)表面，户对和安徽硕通过可控制的PTAI插层，无论是旋转涂层还是浸泡，均可形成PTAMAPbI4的PTA-MA混合阳离子2D钙钛矿。贴北工作近展：超薄RuRh合金纳米片使高性能锂二氧化碳电池成为可能高能量密度非质子Li-CO2电池是一种极具吸引力的储能技术。

李朝升教授等人利用密度泛函理论和杂质散射理论，专男在钛掺杂的Ta3N5模型中研究了带边工程中点缺陷的抑制。士女纳米电化学与电分析化学。此外，情经由于Cu+具有高的离子迁移率以及Cu+离子所在的Cu2-xS层与邻近的MoS2层之间形成紧密的异质界面，情经因此，Cu+离子能够迁移并插入到表面MoS2层晶体结构中形成CuI@MoS2催化保护层。

门当（10.1016/j.matt.2020.02.020）图9 超薄三角形RuRh纳米片的形貌和结构表征超薄MOF纳米片上的单原子阵列提高Li-S电池安全性与寿命锂电池的发展很大程度上受到锂枝晶生长和聚砜穿梭的阻碍。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，户对和安徽硕投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。

（DOI:10.1016/j.scib.2020.01.025）图4两步法将PbBr2前驱体膜转化为Cs-Pb-Br膜的过程示意图半导体光催化剂中带边工程中点缺陷的抑制目前，贴北光催化和光电化学反应对光能的利用率较低，贴北其机理尚不清楚。

相关研究以DefectEngineeringinSemiconductors:ManipulatingNonstoichiometricDefectsandUnderstandingTheirImpactinOxynitridesforSolarEnergyConversion为题目，专男发表在AFM上。温度的变化会引起离子导电层的离子积累从而产生很高的热电压，士女离子导电层的离子积累会被电子导电层的电荷平衡

情经该器件有离子层与电子层的双层结构。门当该成果以UltrahighThermoelectricPowerGenerationfromBothIonDiffusionbyTemperatureFluctuationandHoleAccumulationbyTemperatureGradient为题发表在AdvEnergyMater。

户对和安徽硕该研究小组还详细研究了该器件的工作机理。贴北因此废热收集对于可持续发展非常重要。